[发明专利]衬底处理方法及其设备有效
| 申请号： | 201410253690.1 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104795343B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 林秀和;佐藤洋平;大口寿史;富田宽 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理方法及其设备。按照根据所述本发明实施例的衬底处理方法，将超纯水供应到衬底的表面。将含氟代醇溶剂供应到已附着所述超纯水的所述衬底的所述表面。将具有在所述含氟代醇溶剂中的溶解性并与所述含氟代醇溶剂不同的第一溶剂供应到已附着所述含氟代醇溶剂的所述衬底的所述表面。将已附着所述第一溶剂的所述衬底引入到室中，用超临界流体替代所述衬底的所述表面上的所述第一溶剂，接着，减小所述室内的压力并且将所述超临界流体改变为气体。从所述室取出所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理方法，所述方法包括：将超纯水供应到衬底的表面；将含HFIP(1，1，1，3，3，3‑六氟‑2‑丙醇)溶剂供应到已附着所述超纯水的所述衬底的所述表面；将具有在所述含HFIP溶剂中的溶解性且沸点为100℃或者更高的含PFC(全氟化碳)的第一溶剂供应到已附着所述含HFIP溶剂的所述衬底的所述表面；将已附着所述第一溶剂的所述衬底引入到室中，用超临界流体替代在所述衬底的所述表面上的所述第一溶剂，接着，通过减小所述室内的压力将所述超临界流体改变为气体；以及从所述室取出所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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