[发明专利]一种具有氢气敏感效应的二硫化钼/硅异质薄膜器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410254110.0 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104049022A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郝兰众;刘云杰;高伟;于濂清 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 邵朋程 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有氢气敏感效应的二硫化钼/硅异质薄膜器件及其制备方法和应用，该二硫化钼/硅异质薄膜器件包括Si衬底与MoS2薄膜层，MoS2薄膜层是利用直流磁控溅射技术沉积在Si衬底表面。本发明通过在Si衬底表面沉积MoS2薄膜，利用MoS2薄膜对H2的吸附作用和半导体异质界面的电输运放大作用，研制出具有对H2敏感效应的MoS2/Si异质薄膜器件。测试结果显示：在纯H2条件下，当外加电压为-5V时，MoS2/Si异质薄膜器件的电流减小两个数量级；同时，该异质薄膜器件对H2浓度变化表现出明显的响应特征。与目前所存在的半导体型H2传感器件相比较，本发明排除了对氧气氛条件和贵金属的依赖性，并具有H2响应性能显著、重复性好、可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氢气 敏感 效应 二硫化钼 硅异质 薄膜 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有氢气敏感效应的二硫化钼/硅异质薄膜器件，其特征在于：包括Si衬底与MoS2薄膜层，MoS2薄膜层设置在Si衬底表面。
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