[发明专利]结场效晶体管有效
| 申请号： | 201410255076.9 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105322023B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结场效晶体管，其包括一第一掺杂区与一第二掺杂区。第一掺杂区包括一源极与一漏极。第二掺杂区包括一栅极，并与第一掺杂区之间具有一U形的PN结位于源极与漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 结场效 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种结场效晶体管，包括：一第一掺杂区，包括一源极、一漏极与一通道区；一第二掺杂区，包括一栅极与一第二阱，并与该第一掺杂区之间具有一U形的PN结位于该源极与该漏极之间；一埋藏层，位于该第一掺杂区与该第二掺杂区的下方；一第一顶掺杂层，位于该源极与该漏极之间；一第二顶掺杂层，其位于导电型相反的该第一顶掺杂层上；以及一绝缘结构，位于该漏极与该通道区之间的该第二顶掺杂层上，及/或位于该源极与该栅极之间的该第二阱上，及/或位于该栅极与一重掺杂区之间。
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