[发明专利]一种提高发光二极管出光效率的方法

摘要

本发明提出了一种提高发光二极管出光效率的方法，包含以下步骤：第一次外延生长在衬底上自下而上依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层；在上包覆层上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区；第二次外延生长形成外延窗口层；减薄衬底，蒸镀Au/BeAu/Au和GeAu/Au，将半切所得结构放入通有湿氧或者湿氮的氧化炉中氧化布拉格反射器形成布拉格反射器氧化区；通过切割方式形成独立芯片。本发明通过在电极下方通过外延手段制作局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管的出光效率得到了有效提高。

主权项

一种提高发光二极管出光效率的方法，其特征在于，包含以下步骤：1)第一次外延生长：在衬底(1)上自下而上依次形成缓冲层(2)、布拉格反射器(3)、下包覆层(4)、发光层(5)和上包覆层(6)；2)光刻刻蚀：在所述上包覆层(6)上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区(7)；3)第二次外延生长：在所述步骤2)所得结构上形成外延窗口层(8)；4)上电极(9)制备：在所述步骤3)所得结构上蒸镀Au/BeAu/Au，在450～500℃下退火10～30min，光刻刻蚀，去胶；5)下电极(10)制备：将所述衬底(1)用研磨的方式减薄至190±10μm，在所述衬底(1)的背面蒸镀GeAu/Au，在350～400℃下退火10～40min；6)半切，氧化：将半切所得结构放入通有湿氧或者湿氮的氧化炉中，在400～480℃下氧化所述布拉格反射器(3)，所述布拉格反射器(3)的外围区域形成布拉格反射器氧化区(11)；7)透切：通过切割方式将所述步骤6)所得结构形成独立芯片。