[发明专利]一种半导体制冷器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410255535.3 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104009149A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 时平;张华;胡彦亮;郭峰;陈粤海;马良 | 申请（专利权）人： | 四川航天系统工程研究所 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 伍孝慈 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制冷器件及其制造方法，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片由上基板和下基板，以及位于上基板和下基板之间的多组P-N结半导体组成，所述上基板与下基板的空隙处填充有具有隔热绝缘作用的气凝胶层。与现有半导体制冷器件相比，本发明采用新型二氧化硅气凝胶材料，具有质量轻、不额外占用体积、抗过载能力强、稳定性高的优点；其单位功耗下的制冷效率提高10％以上，特别适用于在功率较低，而制冷要求较苛刻下的制冷设备；只增加一道灌装工序，原有生产工艺可保持不变，无需重新设计生产装备，改进成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制冷器件，包括半导体制冷片，其特征在于：所述半导体制冷片由上基板和下基板，以及位于上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成，所述上基板与下基板的空隙处填充有具有隔热绝缘作用的气凝胶层。
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