[发明专利]一种低相位噪声LC-VCO

摘要

本发明公开了一种低相位噪声LC-VCO，所述一种低相位噪声LC-VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4；NMOS管Mn1、Mn2；固定电容C1、C2、Cc1、Cc2；可变电容Cvar1、Cvar2；两端电感ind；电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上，采用尾电流源动态切换技术，减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比，而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生，从而降低LC-VCO的相位噪声；另外，本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地，从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压，使得负阻提供的电流增大，LC-VCO的相位噪声降低。

主权项

一种低相位噪声LC‑VCO，其特征在于，所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4；NMOS管Mn1、Mn2；固定电容C1、C2、Cc1、Cc2；可变电容Cvar1、Cvar2；两端电感ind；电阻R1、R2；所述可变电容Cvar1、Cvar2的阳极均连接电容调节电压Vtune，所述固定电容C1连接在所述Cvar1的阴极与输出节点VCOP之间；所述固定电容C2连接在所述Cvar2的阴极与输出节点VCON之间；所述两端电容ind连接在所述VCOP和VCON之间；所述两端电容ind、可变电容Cvar1、Cvar2、固定电容C1、C2构成基本LC Tank；所述Mp1和所述Mp2交叉耦合形成负阻，所述Mp1的栅极连接所述Mp2的漏极，所述Mp1的漏极连接所述MP2的栅极；所述Mp1的源极和所述Mp2的源极均与所述Mp3的漏极、所述Mp4的漏极连接；所述Mp1的漏极连接所述输出节点VCOP；所述Mp2的漏极连接所述输出节点VCON；所述Mp1、Mp2的衬底均接地；所述Mn1与所述Mn2交叉耦合形成负阻，所述Mn1的栅极连接所述Mn2的漏极；所述Mn1的漏极连接所述Mn2的栅极；所述Mn1的漏极连接所述VCOP；所述Mn2的漏极连接所述VCON；所述Mn1源极、Mn1的衬底、Mn2的源极、Mn2的衬底均接地；所述Cc1连接在所述VCOP和所述Mp3的栅极之间，所述Cc2连接在所述VCON和所述Mp4之间；所述Mp3的源极、Mp4的源极、Mp3的衬底、Mp4的衬底均与电源Vdd相连；所述Mp3的栅极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接尾电流源偏置电压Vbias，所述电阻R2的一端连接所述Mp4的栅极，所述电阻R2的另一端连接所述尾电流源偏置电压Vbias。