[发明专利]一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板及其制备方法有效
| 申请号： | 201410256347.2 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104018214A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/04 | 分类号： | C30B23/04;C30B29/40;H01L33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板，包括Si衬底以及在Si衬底上的(111)晶面作为晶体取向外延生长的AlN模板层，所述AlN模板层上刻蚀有多条互相垂直的条状沟槽，形成多个相互独立的矩形平台。本发明还涉及该图形化Si衬底AlN模板的制备方法，包括如下步骤：衬底清洗、生长AlN层、蚀刻出矩形平台。采用本发明的制备的用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板成品率高、成本低，制备出的产品均匀性好、质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 半导体材料 外延 矩形 图形 si 衬底 aln 模板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板，其特征在于：包括Si衬底以及在Si衬底上的(111)晶面作为晶体取向外延生长的AlN模板层，所述AlN模板层上刻蚀有多条互相垂直的条状沟槽，形成多个相互独立的矩形平台。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市众拓光电科技有限公司，未经广州市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410256347.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种户外LED显示屏的保护罩
- 下一篇：氨吸收器
