[发明专利]N型半导体层以及N型薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410257169.5 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105448674B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种N型半导体层的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体碳纳米管层；通过原子层沉积的方法在所述半导体层表面沉积一氧化铪层，该原子层沉积的方法具体包括：将该半导体碳纳米管层置于一原子层沉积系统反应腔内的工作平台上，将该工作平台加热至140‑200摄氏度；向反应腔内持续通入一保护气体；在载气承载下分别以脉冲形式向反应腔内通入铪源与水蒸汽，在该半导体碳纳米管层表面生成连续的氧化铪层，形成一N型半导体层，其中，所述含铪源的载气的一次脉冲时间为0.02s‑0.03s，所述含水蒸汽的载气的一次脉冲时间为0.010s‑0.015s。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 以及 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型半导体层的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体碳纳米管层；通过原子层沉积的方法在所述半导体碳纳米管层表面沉积一氧化铪层，该原子层沉积的方法具体包括：将该半导体碳纳米管层置于一原子层沉积系统反应腔内的工作平台上，将该工作平台加热至140‑200摄氏度；向反应腔内持续通入一保护气体；在载气承载下分别以脉冲形式向反应腔内通入铪源与水蒸汽，在该半导体碳纳米管层表面生成连续的氧化铪层，形成一主要由电子载流子参与导电的N型半导体层，其中，含铪源的载气的一次脉冲时间为0.02s‑0.03s，含水蒸汽的载气的一次脉冲时间为0.010s‑0.015s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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