[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在一种使用传热气体进行基板的温度控制的工艺中，维持基板面内的处理的均匀性。基板处理方法包括将处理容器内调节为成为真空状态的压力P0的步骤；在利用升降销(85)使基板S从载置台(5)的上表面离开的状态下，对处理容器(1)内导入调压气体，将处理容器(1)内调节为比压力P0高的压力P1的步骤；使升降销(85)下降来将基板载置于载置台(5)的步骤；从处理容器(1)内将调压气体排气的步骤；和一边将传热空间的压力维持为P2，一边对处理容器内导入处理气体，对基板S进行处理的步骤。

主权项

一种基板处理方法，其为使用处理装置一边对基板的背面侧供给传热气体一边进行处理的基板处理方法，所述基板处理方法的特征在于：所述处理装置包括：收纳被处理体、并能将内部保持为真空的处理容器；在所述处理容器内载置所述基板、且具有向所述基板的背面侧喷射所述传热气体的多个气孔的载置台；以相对于所述载置台的上表面能够伸出退回地移位的方式设置的、将所述基板支承在从所述载置台的上表面离开的位置的支承部件；对所述处理容器内供给气体的第一气体供给路径；与所述气孔连通的第二气体供给路径；设置在所述第一气体供给路径，调节所述气体的供给流量的流量调节装置；检测所述处理容器内的压力的压力检测装置；与所述处理容器连接的排气路径；可变地调节所述排气路径的流导的阀；和与所述排气路径连接的排气装置，所述基板处理方法包括：在由所述支承部件使所述基板从所述载置台的上表面离开的状态下，将所述处理容器内调节为成为真空状态的压力P0的步骤；在由所述支承部件使所述基板从所述载置台的上表面离开的状态下，经由所述第一气体供给路径对所述处理容器内导入调压气体，将所述处理容器内调节为比所述压力P0高的压力P1的步骤；在将所述处理容器内保持为所述压力P1的状态下，使所述支承部件下降来将所述基板载置于所述载置台，在所述基板的背面和所述载置台的上表面之间形成传热空间的步骤；在将所述基板载置于所述载置台的状态下，停止对所述处理容器内导入调压气体，经由所述第二气体供给路径和所述气孔向所述基板的背面侧供给所述传热气体，将所述基板与所述载置台之间的所述传热空间保持为压力P2的步骤；和一边维持所述传热空间的所述压力P2，一边经由所述第一气体供给路径对所述处理容器内导入处理气体，将除了所述传热空间的所述处理容器内调节为压力P3，对所述基板进行处理的步骤。