[发明专利]异构NAND型固态硬盘及提高其性能的方法

摘要

本发明提供一种异构NAND型固态硬盘及提高其性能的方法，该异构NAND型固态硬盘，不仅包含SLC NAND存储器芯片，也包括MLC NAND存储器芯片，还可以包含3D堆叠的NAND存储器芯片，从而可以综合各自优点，弥补各自缺点，在应用范围上更加广泛。同时，本发明还提出了一种提高异构NAND型固态硬盘耐久寿命的方法，根据存储器中不同部分的使用情况，对其进行针对性的调整，并可通过对存储器中的存储空间的刷新周期进行定期的更新，从而使得存储器中的不同区域的擦写情况能够较为平均地分布，进而提高存储器的使用寿命，优化器件对数据的保存能力。

主权项

1.一种异构NAND型固态硬盘，其特征在于，包括：存储逻辑控制器和N级NAND存储器芯片组，所述存储逻辑控制器与每级所述NAND存储器芯片组均连接；每一级所述NAND存储器芯片组中均包含类型相同且数量至少为1个的NAND芯片；其中，N为大于1的自然数，且每一级NAND存储器芯片组中的存储单元所能存储的位数均比前一级NAND存储器芯片组中的存储单元所能存储的位数大；在所述N级NAND存储器芯片组中，第1级所述NAND存储器芯片组中的芯片均为单层单元NAND芯片，所述第N级所述NAND存储器芯片组中的芯片均为3D堆叠NAND存储器芯片，且其余的所述NAND存储器芯片组中的芯片均为多层单元NAND芯片；所述存储逻辑控制器与第1级所述NAND存储芯片组集成于同一芯片中，以形成一系统级芯片；所述存储逻辑控制器与第1级所述NAND存储芯片组之间通过并口进行数据的传输；还包括连通所述存储逻辑控制器与外部的外部接口；所述外部接口包括SATA、PCI或PCIe中的一种或多种；所述第1级NAND存储芯片组的存储单元中的控制栅采用后栅极高电介质金属栅工艺制成；所述系统级芯片和其他每一级所述NAND存储芯片组均通过若干微焊点连接至一硅基板上；所述硅基板上设置有若干引脚，每个所述引脚均通过一焊点连接至一封装衬底中，且通过走线形成球栅阵列封装；其中，当所述存储逻辑控制器在处于空闲状态时，统计所述异构NAND型固态硬盘中的所有擦写单元在一段预设的时间段内的擦写次数，并进行排序，以获取每个擦写单元的擦写频繁度；将所有擦写单元的擦写频繁度按照从高到低分为N个等级；按照擦写频繁度等级，将每个擦写单元中的数据转存至与其擦写频繁度等级相等的该级NAND存储器芯片组中，若某一擦写单元已位于其需要转存数据至的该级NAND存储器芯片组中，则不对该擦写单元中的数据进行转存；其中，每一级所述NAND存储器芯片组的容量均大于与其级数相等的擦写频繁度所对应的所有擦写单元的总容量。