[发明专利]硅基碲镉汞长波光电二极管芯片

摘要

本发明公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本发明的优点是:相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本发明的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P⁺或p-on-N⁺结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。

主权项

硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底(1)，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层(2)，微台面异质结光电二极管(3)以及爬坡公共电极(4)，第一铟球(5)位于微台面异质结光电二极管(3)上，第二铟球(6)位于爬坡公共电极上，其特征在于：所述的微台面异质结光电二极管(3)为n‑on‑P⁺或p‑on‑N⁺结构，其中：在n‑on‑P⁺结构中，n型HgCdTe层为In掺杂HgCdTe层，掺杂浓度为1.0‑15.0×10¹⁵cm^‑3，厚度为8.0‑10.0μm；P⁺型HgCdTe层为Hg空位掺杂HgCdTe层，掺杂浓度为1.0‑8.0×10¹⁷cm^‑3，厚度为4.0‑5.0μm；在p‑on‑N⁺结构中，p型HgCdTe层为Hg空位掺杂HgCdTe层，掺杂浓度为1.0‑15.0×10¹⁵cm^‑3，厚度为8.0‑10.0μm；N⁺型HgCdTe层为In掺杂HgCdTe层，掺杂浓度为1.0‑8.0×10¹⁷cm^‑3，厚度为4.0‑5.0μm。