[发明专利]一种二氧化钒薄膜制备方法无效
| 申请号： | 201410258898.2 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104032278A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王少伟;刘星星;陆卫;俞立明;陈飞良;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C16/56;C23C14/08;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法。通过对金属钒或低价态钒氧化物薄膜进行真空条件下通氧退火得到有相变二氧化钒薄膜。根据低价钒氧化物的类型和厚度选择最合适的氧气分压、退火温度和退火时间可以得到性能优异的二氧化钒薄膜，2400nm处红外调节率可达58％，可见光透过率43％。通过对已经掺杂的低价态钒氧化物薄膜氧化得到掺杂的二氧化钒薄膜，该掺杂可以调节二氧化钒相变温度以适应不同需求。该种二氧化钒薄膜可以应用到光信息存储、光电开关和智能窗以及非制冷红外焦平面成像上。本发明与大规模镀膜玻璃生产线工艺兼容，可以在非晶玻璃上生长性能良好的二氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于：步骤如下：1)在玻璃、石英、宝石或硅片衬底上通过磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、真空热蒸发、电子束蒸发、激光脉冲沉积或溶胶凝胶的方法将金属钒或低价钒薄膜制备在衬底上；2)对制备好的金属钒薄膜或者低价钒薄膜在真空条件下通氧退火得到有相变的二氧化钒薄膜；具体通氧退火参数为：氧气是氧分压在5～11000Pa，退火温度是350～650℃，时间为5～400min。
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