[发明专利]浸没式曝光后清洗水印的方法在审

申请号：	201410259089.3	申请日：	2014-06-12
公开（公告）号：	CN105336565A	公开（公告）日：	2016-02-17
发明（设计）人：	邢滨;岳力挽	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	徐洁晶
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种浸没式曝光后清洗水印的方法，包括步骤：将晶圆移入PIR腔室，腔室具有喷嘴装置，喷嘴装置包括彼此连接的去离子水喷嘴和氮气喷嘴；将喷嘴装置移至晶圆的上方并将去离子水喷嘴与晶圆的中心对准；去离子水喷嘴喷出去离子水，晶圆同时旋转，去离子水喷嘴一边喷水一边以预定的移动速度从晶圆的中心移向边缘；当去离子水喷嘴从晶圆的中心移开而氮气喷嘴移至晶圆的中心时，氮气喷嘴喷出氮气，使晶圆表面的中间部分干燥；去离子水喷嘴持续地向晶圆的边缘移动，氮气喷嘴在预定的位置停止喷气，喷嘴装置移开晶圆的上方；喷嘴装置完全移回原位后，晶圆以更高的转速旋转，使晶圆表面干燥。本发明能够减少光刻胶表面的水印缺陷，增加产品良率。
搜索关键词：	浸没曝光清洗水印方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种浸没式曝光后清洗水印的方法，包括步骤：A.将一晶圆(302)移入一浸没式曝光后清洗工艺腔室，所述腔室具有一喷嘴装置(301)，所述喷嘴装置(301)包括彼此连接的一去离子水喷嘴(303)和一干燥气喷嘴(304)；B.将所述喷嘴装置(301)移至所述晶圆(302)的上方并将所述去离子水喷嘴(303)与所述晶圆(302)的中心对准；C.所述去离子水喷嘴(303)喷出去离子水，在此期间所述晶圆(302)旋转，所述去离子水喷嘴(303)一边喷水一边以一预定的移动速度从所述晶圆(302)的中心移向边缘；D.当所述去离子水喷嘴(303)从所述晶圆(302)的中心移开而所述干燥气喷嘴(304)移至所述晶圆(302)的中心时，所述干燥气喷嘴(304)喷出干燥气，使所述晶圆(302)表面的中间部分干燥；E.所述去离子水喷嘴(303)持续地向所述晶圆(302)的边缘移动，所述干燥气喷嘴(304)在一预定的位置停止喷气，所述喷嘴装置(301)移开所述晶圆(302)的上方；F.所述喷嘴装置(301)完全移回原位后，所述晶圆(302)以一更高的转速旋转，使所述晶圆(302)表面干燥。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410259089.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]浸没式曝光后清洗水印的方法在审

专利文献下载