[发明专利]局部减薄背照式图像传感器结构及其封装工艺在审
申请号: | 201410259565.1 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN103996687A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 程顺昌;王艳;林珑君;陈雯静;柳益;谷顺虎;陈于伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种局部减薄背照式图像传感器结构,由芯片、垫高层、基板、芯片焊盘、基板焊盘、引线和光窗组成;所述芯片上端面设置有局部减薄槽;芯片上端面与光窗连接,所述光窗将局部减薄槽覆盖;芯片下端面与垫高层上端面连接,芯片焊盘设置于芯片下端面上,芯片焊盘位于垫高层外侧;垫高层下端面与基板上端面连接,基板焊盘设置于基板上端面上,基板焊盘位于芯片焊盘外侧;芯片焊盘和基板焊盘之间通过引线连接。本发明还公开了基于前述结构的封装工艺。本发明的有益技术效果是:通过结构改变来避免在封装工艺中进行填充操作,在保证结构稳定性的同时,降低了工艺难度,保证了产品品质,提高了加工时的成品率。 | ||
搜索关键词: | 局部 减薄背照式 图像传感器 结构 及其 封装 工艺 | ||
【主权项】:
一种局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:所述局部减薄背照式图像传感器由芯片(1)、垫高层(2)、基板(3)、芯片焊盘(4)、基板焊盘(5)、引线(6)和光窗(7)组成;所述芯片(1)上端面设置有局部减薄槽;芯片(1)上端面与光窗(7)连接,所述光窗(7)将局部减薄槽覆盖;芯片(1)下端面与垫高层(2)上端面连接,芯片焊盘(4)设置于芯片(1)下端面上,芯片焊盘(4)位于垫高层(2)外侧;垫高层(2)下端面与基板(3)上端面连接,基板焊盘(5)设置于基板(3)上端面上,基板焊盘(5)位于芯片焊盘(4)外侧;芯片焊盘(4)和基板焊盘(5)之间通过引线(6)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410259565.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的