[发明专利]一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺有效
| 申请号： | 201410260088.0 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996629A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;李洪濛;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510730 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠置而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层上表面。有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式或者添加颗粒物形成表面凹凸不平的形貌结构。有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构。本发明制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 半导体 薄膜 电子器件 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
