[发明专利]离子注入层图形线宽尺寸的优化方法

摘要

本发明公开了一种离子注入层图形线宽尺寸的优化方法，其包括制作一具有n组不同空间间距的线宽图案的掩模版；将线宽图案转移到晶圆上；量取关键尺寸A1‑An；将晶圆进行离子注入；量取关键尺寸SA1‑SAn；将A1‑An与SA1‑SAn分别相减，得到该离子注入条件下，不同空间间距需要补偿的线宽尺寸ΔSA1‑ΔSAn。本发明根据确定不同离子注入对光刻图形线宽的影响，确定针对性的补偿值，进而对光刻图形线宽关键尺寸进行补偿，减少离子注入使光刻图形线宽缩小而对工艺和器件性能所带来的影响。

主权项

一种离子注入层图形线宽尺寸的优化方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，制作一掩模版，该掩模版具有n组不同空间间距的线宽图案；该n组线宽图案中的每组线宽图案包括至少一条线状或沟道状图案；步骤S02，通过对晶圆上涂布光刻胶、曝光、显影步骤，将该n组线宽图案转移到晶圆上；步骤S03，量取该n组线宽图案显影后的关键尺寸A1‑An；步骤S04，将该晶圆进行离子注入；步骤S05，量取该n组线宽图案离子注入后的关键尺寸SA1‑SAn；步骤S06，将所述显影后的关键尺寸A1‑An与所述离子注入后的关键尺寸SA1‑SAn分别相减，得到该离子注入条件下，不同空间间距需要补偿的线宽尺寸ΔSA1‑ΔSAn；其中，随着空间间距的增加，需要补偿的线宽尺寸也随之增加；且不同离子的离子注入层的图形线宽补偿值不同。