[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201410260813.4 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104241398A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 高桥卓也;楢崎敦司;高桥彻雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L29/36;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够防止在激活区域和阱区域的边界处杂质浓度变高的半导体元件、以及该半导体元件的制造方法。具有：第1导电型的衬底(10)；第2导电型的第1杂质区域(12)，其形成在该衬底的正面侧；第2导电型的第2杂质区域(14)，其形成在该衬底的正面侧，与该第1杂质区域接触，且在俯视观察时将该第1杂质区域包围，并且在剖面观察时比该第1杂质区域深；以及第2导电型的耐圧保持构造(16)，其形成为在俯视观察时包围该第2杂质区域。该第1杂质区域和该第2杂质区域的边界处的杂质浓度小于或等于该第2杂质区域的杂质浓度的最大值，电流在该衬底的正面和背面之间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，具有：第1导电型的衬底；第2导电型的第1杂质区域，其形成在所述衬底的正面侧；第2导电型的第2杂质区域，其形成在所述衬底的正面侧，与所述第1杂质区域接触，且在俯视观察时将所述第1杂质区域包围，并且在剖面观察时比所述第1杂质区域深；以及第2导电型的耐圧保持构造，其以俯视观察时将所述第2杂质区域包围的方式形成，所述第1杂质区域和所述第2杂质区域的边界处的杂质浓度小于或等于所述第2杂质区域的杂质浓度的最大值，电流在所述衬底的正面和背面之间流动。
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