[发明专利]柔性碳纳米管晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了柔性碳纳米管晶体管的制备方法，包括在基底上制备柔性背栅衬底；将单壁碳纳米管的平行阵列转移至柔性背栅衬底表面；利用电击穿法去除金属性的单壁碳纳米管；利用光刻和刻蚀工艺去除部分电击穿电极，形成源/漏电极结构；在柔性背栅衬底上形成栅介质层；栅介质层将柔性背栅衬底表面、单壁碳纳米管平行阵列和源/漏电极图形覆盖住；在栅介质层表面形成顶栅电极；在源/漏电极图形上引出源/漏电极；去除基底，形成柔性碳纳米管晶体管。本发明的方法，发挥了半导体性单壁碳纳米管的高迁移率的本征特性，直接改进电击穿电极使其能够作为后续的源/漏电极结构，简化了工艺步骤，提高了器件性能。

主权项

一种柔性碳纳米管晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上制备柔性背栅衬底；柔性背栅衬底的表面为背栅介质层；将单壁碳纳米管的平行阵列转移至所述柔性背栅衬底表面的背栅介质层上；在所述单壁碳纳米管平行阵列的表面制备电击穿电极，利用电击穿法去除金属性的所述单壁碳纳米管；其中，所述电击穿电极具有与所述碳纳米管垂直的部分和平行的部分；利用光刻和刻蚀工艺去除所述电击穿电极与所述单壁碳纳米管平行的部分，所述电击穿电极与所述单壁碳纳米管垂直的部分形成源/漏电极结构；在所述柔性背栅衬底上形成栅介质层；所述栅介质层将所述柔性背栅衬底表面、所述单壁碳纳米管平行阵列和所述源/漏电极结构覆盖住；在所述栅介质层表面且对应于所述源/漏电极结构之间的空隙上方形成顶栅电极；在所述栅介质层中且对应于所述源/漏电极结构上方引出源/漏电极；去除所述基底，形成所述柔性碳纳米管晶体管。