[发明专利]降低DRAM软错误的方法有效

专利信息
申请号: 201410261074.0 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN104167224B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 景蔚亮;陈邦明 申请(专利权)人: 上海新储集成电路有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201500 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种降低DRAM软错误的方法,该方法能够主动检测软错误,智能降低软错误的发生率,使得DRAM中的错误位数保持在DRAM错误纠正能力范围之内,直至没有错误发生,DRAM恢复正常状态,从而提高了内存的可靠性、可用性以及可服务性,该方法可用于为广大客户提供关键任务程序和服务的领域,应用范围广,适用性强。
搜索关键词: 错误纠正能力 恢复正常状态 应用范围广 可用性 错误发生 错误位数 任务程序 主动检测 发生率 可用 内存 智能 客户 服务
【主权项】:
1.一种降低DRAM软错误的方法,应用于计算机系统中,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,进行DRAM错误检测以获取所述DRAM中数据的错误位数;步骤S2,判断所述DRAM中数据的错误位数是否达到预警值,若否,则进行错误纠正以使所述DRAM恢复正常状态,且当所述DRAM处于正常状态时所述计算机系统对所述DRAM中的数据进行错误预防,若是,则进行步骤S3;步骤S3,增加充电电压和/或提高刷新频率以使得所述DRAM中数据的错误位数小于所述预警值,继续进行步骤S2;其中,所述预警值小于或等于所述DRAM的最大纠错位数,且所述DRAM的最大纠错位数小于或等于所述DRAM的最高错误检测位数。
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