[发明专利]一种由硫酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法有效
申请号: | 201410261304.3 | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN105118888B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 刘科高;刘宏;石璐丹;徐勇;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省济南市历*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种由硫酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗基片,然后将硫酸铜和柠檬酸钠放入溶剂中,采用电沉积方法在二氧化锡导电玻璃基片上恒电位沉积,最后进行清洗干燥,得到氧化亚铜光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得氧化亚铜光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的氧化亚铜光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫酸铜 制备 氧化亚铜 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种由硫酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.进行导电玻璃基片的清洗;将大小为20mm×10mm×4mm二氧化锡导电玻璃放入体积比三氯甲烷:乙醇=5:1的溶液中,超声波清洗30min;再将玻璃片放入体积比丙酮:蒸馏水=5:1的溶液中,超声波清洗30min;再在蒸馏水中将导电玻璃基片用超声振荡30min;将上述得到的二氧化锡导电玻璃基片放入烘箱中,在100℃下烘干,供制膜用;b.将1份柠檬酸钠充分溶解在259份的蒸馏水溶剂中,将1.93份CuSO4·5H2O溶解在上述溶液中,使溶液中的物质均匀混合,加入稀硫酸15~25份来调整溶液的pH值,使溶液的pH=2;c.将步骤b配置的溶液倒入三电极装置中,以铂电极为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极,二氧化锡导电玻璃为研究电极,链接到晶体管恒电位仪,在‑1.0V沉积电位,常温,没有搅拌的条件下沉积;d.沉积30min后,将样品取出,用蒸馏水清洗样片,放到烘箱里加热至50~70℃之间,保温时间10~20min,然后冷却到室温取出,使其自然干燥后,即得到结晶致密的氧化亚铜光电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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