[发明专利]一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法有效
| 申请号： | 201410262404.8 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104030235A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 孙捷;邓世桂;郭伟玲;黄旸 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法，属于纳米机电系统制备领域。在绝缘衬底上生长一层支撑体，然后图案化处理，生长一层金属催化剂层，进行图案化处理，形成支撑体‐金属催化剂‐支撑体阵列结构；支撑体和金属催化剂层的上表面和侧面用CVD法同时生长二维材料；二维材料的上表面和侧面旋涂一层聚合物，掩盖支撑体、金属催化剂层和二维材料；刻蚀聚合物直至刻蚀到支撑体和金属催化剂层的上表面出现，并将暴露出的附着在上表面的二维材料也刻蚀掉；将金属催化剂在溶液中腐蚀掉，并把聚合物溶解，释放出悬浮的垂直二维材料；干燥。本发明实现了可控地制备垂直二维材料，令使用二维材料制备3D结构的纳米机电系统成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 基于 垂直 二维 材料 纳米 机电 系统 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1.1.在绝缘衬底上生长一层支撑体，然后用光刻的方法对其进行图案化处理，在绝缘衬底上生长一层金属催化剂层，用光刻的方法对其进行图案化处理，最后形成支撑体‑金属催化剂‑支撑体阵列结构，支撑体和金属催化剂层的厚度为20nm‑2μm；1.2.在步骤1.1所述的支撑体和金属催化剂层的上表面和侧面用CVD法同时生长二维材料；1.3.在步骤1.2所述的二维材料的上表面和侧面旋涂一层聚合物，掩盖支撑体、金属催化剂层和二维材料；1.4.刻蚀聚合物，使其变薄，直至刻蚀到支撑体和金属催化剂层的上表面出现，并将暴露出的附着在上表面的二维材料也刻蚀掉；1.5.将金属催化剂在溶液中腐蚀掉，此溶液对器件的其他部分没有腐蚀作用；1.6.把剩余的聚合物溶解掉，并将最后的样品干燥。
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