[发明专利]基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构

摘要

本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。

主权项

一种基于带状吸气剂混合晶圆级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及至少一个吸气剂腔，所述吸气剂腔和芯片封装腔之间隔离墙的顶端和盖片的下表面的距离为微米量级，并于所述芯片封装腔和吸气剂腔之间的垫片中形成通气孔，所述通气孔的形状和大小选择为确保气体分子能在芯片封装腔和吸气剂腔之间流动，并避免吸气剂上掉落的吸气剂颗粒进入芯片封装腔中；步骤a)还包括于所述衬底片中形成用于待封装芯片引线的通孔结构，或于所述盖片中形成用于待封装芯片引线的通孔结构，并于所述衬底片的通孔结构中形成金属柱，或于所述盖片的通孔结构中形成金属柱的步骤；b)键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c)提供一已通过测试的待封装芯片，将已通过测试的所述待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片，或将已通过测试的所述待封装芯片通过键合结构键合于所述盖片；d)提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于所述吸气剂腔中；e)提供一真空设备，将所述封装腔体和盖片对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述盖片及所述垫片。