[发明专利]一种存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器至少包括：形成于一衬底上表面的底电极和形成于该底电极上的介质层；所述介质层中设有充满金属的贯孔；形成于所述介质层上表面且与所述贯孔中的金属接触的复合存储结构；所述复合存储结构为由具有相变存储性质的硫系化合物和具有阻变存储性质的氧化物构成的三层层叠结构，其中，所述三层层叠结构包括：位于所述介质层上表面并接触于所述贯孔中金属的硫系化合物、位于所述硫系化合物上表面的氧化物以及位于所述氧化物上表面的硫系化合物；所述氧化物与所述硫系化合物彼此接触；形成于所述复合存储结构上表面的顶电极。