[发明专利]一种超薄晶圆减薄方法

摘要

本发明提供了一种超薄晶圆减薄方法，属于超薄晶圆加工领域。包括下列步骤：提供待减薄晶圆；对待减薄晶圆边缘圆角进行修整，以防止磨削过程产生崩边现象；对所述晶圆背面进行磨削减薄直至目标厚度。磨削过程采用分段式，即随着晶圆磨削余量的变化采用不同的磨削参数，此方法可充分去除前道磨削引起的损伤。本发明可以避免晶圆磨削过程中出现崩边现象，并充分去除前道磨削引起的损伤，提高了磨削质量，保证了晶圆的强度。

主权项

一种超薄晶圆减薄方法，其特征在于，包括下列步骤：提供待减薄的半导体裸晶圆；对所述晶圆边缘进行修整，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；对所述边缘修整后的晶圆进行分段磨削，粗磨：(1)砂轮进入磨削阶段，砂轮向下进给速率为F1，且3.5μm/s≤F1≤4μm/s，砂轮转速为S1，且4000rpm≤S1≤5000rpm，工作台转速为N1，且250rpm≤N1≤300rpm,晶圆每转磨削深度为700‑960nm，当晶圆厚度达到X+60μm时，X为目标厚度，该阶段结束；(2)砂轮F2进给磨削阶段，砂轮的进给速率为F2，且1.5μm/s≤F2≤2μm/s，砂轮转速为S1，工作台的转速为N1，进给速率减小，晶圆每转磨削深度为300‑480nm，当晶圆的厚度为X+40μm时结束；(3)砂轮F3进给磨削阶段，砂轮的进给速率为F3，且0.8μm/s≤F3≤1.0μm/s，砂轮转速为S1，晶圆转速为N2，且180rpm≤N2≤220rpm，晶圆转速、砂轮进给速率减小，晶圆每转的磨削深度为218‑333nm当晶圆的厚度为X+25μm时结束；(4)光磨1s；精磨：(1)砂轮转速为S2，且5000rpm≤S2≤5500rpm，砂轮进给速度为F4，且0.8μm/s≤F4≤1.0μm/s，工作台转速为N3，且250rpm≤N3≤260rpm，晶圆每转的磨削深度为185‑240nm，当晶圆的厚度为X+15微米时结束；(2)砂轮转速为S2，砂轮进给速度为F5，且0.5μm/s≤F5≤0.7μm/s,工作台的转速为N4，且250rpm≤N3≤280rpm，晶圆每转磨削深度为107‑168nm，当晶圆的厚度为X+3微米时结束；(3)砂轮转速为S2，砂轮进给速度为F6，且0.1μm/s≤F6≤0.15μm/s，工作台转速为N5，且130rpm≤N5≤150rpm，晶圆每转的磨削深度为40‑69nm，接近延性域磨削，当晶圆达到目标厚度时结束整个过程；(4)光磨3秒。