[发明专利]提高发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层有效

专利信息
申请号: 201410266894.9 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN104009136B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 田艳红;马欢 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/32
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 代理人: 欧颖
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种提高发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层,P型空穴注入层包括第一双层单元和第二双层单元:第一双层单元包括第一AlGaN层和第一GaN层,单层厚度是2‑5nm;1个周期中两者厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10;第二双层单元包括第二AlGaN层和第二GaN层,单层厚度是2‑5nm;1个周期中两者厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10。本发明P型空穴注入层由低温生长的P型AlGaN/GaN超晶格层和高温生长的P型AlGaN/GaN超晶格层组成,有效降低大电流密度下LED芯片的Droop效应,提高载流子的注入效率,提高器件的发光效率。
搜索关键词: 提高 发光 效率 led 外延 生长 方法
【主权项】:
一种提高发光效率的LED外延层生长方法,其特征在于,依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlInGaN层、生长P型空穴注入层步骤,所述生长P型空穴注入层步骤为:A、在温度为780‑900℃,反应腔压力在100‑900mbar的反应室内,通入30000‑60000sccm的NH3、30‑50sccm的TMGa、1500‑3000sccm的Cp2Mg、150‑200sccm的TMAl,生长低温P型AlGaN/GaN超晶格层,Mg的掺杂浓度1.0E+19‑1.0E+20atom/cm3,Al的掺杂浓度1E+19‑1E+20atom/cm3;AlGaN或GaN的单层厚度是2‑5nm,1个周期中AlGaN和GaN层的厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10,总厚度为20‑50nm;B、反应腔压力维持在100‑900mbar,温度为900‑1050℃,通入30000‑60000sccm的NH3、30‑60sccm的TMGa、1500‑3000的Cp2Mg,生长高温P型AlGaN/GaN超晶格层,Mg的掺杂浓度1E+19‑2E+20atom/cm3,Al的掺杂浓度1E+19‑1E+20atom/cm3;AlGaN或GaN的单层厚度是2‑5nm,1个周期中AlGaN和GaN层的厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10;高温P型AlGaN/GaN超晶格层的总厚度为30‑100nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司,未经湘能华磊光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410266894.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code