[发明专利]提高发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层有效
申请号: | 201410266894.9 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104009136B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 田艳红;马欢 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人: | 欧颖 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层,P型空穴注入层包括第一双层单元和第二双层单元:第一双层单元包括第一AlGaN层和第一GaN层,单层厚度是2‑5nm;1个周期中两者厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10;第二双层单元包括第二AlGaN层和第二GaN层,单层厚度是2‑5nm;1个周期中两者厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10。本发明P型空穴注入层由低温生长的P型AlGaN/GaN超晶格层和高温生长的P型AlGaN/GaN超晶格层组成,有效降低大电流密度下LED芯片的Droop效应,提高载流子的注入效率,提高器件的发光效率。 | ||
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【主权项】:
一种提高发光效率的LED外延层生长方法,其特征在于,依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlInGaN层、生长P型空穴注入层步骤,所述生长P型空穴注入层步骤为:A、在温度为780‑900℃,反应腔压力在100‑900mbar的反应室内,通入30000‑60000sccm的NH3、30‑50sccm的TMGa、1500‑3000sccm的Cp2Mg、150‑200sccm的TMAl,生长低温P型AlGaN/GaN超晶格层,Mg的掺杂浓度1.0E+19‑1.0E+20atom/cm3,Al的掺杂浓度1E+19‑1E+20atom/cm3;AlGaN或GaN的单层厚度是2‑5nm,1个周期中AlGaN和GaN层的厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10,总厚度为20‑50nm;B、反应腔压力维持在100‑900mbar,温度为900‑1050℃,通入30000‑60000sccm的NH3、30‑60sccm的TMGa、1500‑3000的Cp2Mg,生长高温P型AlGaN/GaN超晶格层,Mg的掺杂浓度1E+19‑2E+20atom/cm3,Al的掺杂浓度1E+19‑1E+20atom/cm3;AlGaN或GaN的单层厚度是2‑5nm,1个周期中AlGaN和GaN层的厚度比是1:1‑3:1,周期为5‑10;高温P型AlGaN/GaN超晶格层的总厚度为30‑100nm。
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