[发明专利]具有绝缘体上硅(SOI)衬底上的金属环的半导体器件结构有效
| 申请号： | 201410268268.3 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104795384B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 郑国裕;蔡维恭;蔡冠智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环形成在衬底的边缘区，且该金属环环绕晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 soi 衬底 金属环 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底，所述衬底具有器件区和边缘区；氧化物层，形成在所述衬底上；硅层，形成在所述氧化物层上；晶体管，形成在所述硅层上，所述晶体管形成在所述衬底的器件区处；以及金属环，形成为穿过所述硅层和所述氧化物层，所述金属环形成在所述衬底的边缘区处，且所述金属环环绕所述晶体管，并且仅所述金属环的最底面与所述衬底的最顶面直接物理接触；互连结构，形成在所述金属环上；所述金属环配置为将在所述氧化物层中积累的电荷通过所述互连结构转移到所述金属环和所述衬底。
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