[发明专利]深沟槽电容器

摘要

本发明涉及一种形成电容器结构的方法，包括在凹槽的底部和侧壁上方以及衬底表面上方沉积均匀厚度的多层第一多晶硅(POLY)层，其中，多层第一多晶硅(POLY)层通过多层氧化物/氮化物/氧化物(ONO)层彼此分隔开。在多层第一多晶硅层上方沉积第二多晶硅层，第二多晶硅层通过ONO层与第一多晶硅层分隔开，并且第二多晶硅层填充凹槽的剩余部分。使用第一化学机械抛光(CMP)去除第二多晶硅层和第二ONO层的部分。使用第一图案化和蚀刻工艺去除表面上的多层第一多晶硅层的每层和第一ONO层不在电容器结构的掺杂区域内的部分，从而暴露多层第一多晶硅层的每层的顶面以用于接触件形成。本发明涉及深沟槽电容器。

主权项

一种形成电容器结构的方法，包括：在衬底内形成的凹槽的底部区域和侧壁上方及衬底的表面上方沉积第一介电层；在所述第一介电层上方沉积第一厚度的第一导电层，其中，所述第一厚度在所述表面、所述底部区域和所述侧壁上是基本均匀的，所述第一导电层具有第一上平面；在所述第一导电层上方沉积第二介电层；在所述第二介电层上方沉积第二厚度的第二导电层，其中，所述第二导电层填充未由所述第一导电层填充的所述凹槽的剩余部分，并且其中，所述第二厚度在所述表面上是基本均匀的，所述第二导电层具有第二上平面，并且所述第二上平面与所述第一上平面共面；去除所述第二导电层和所述第二介电层不在所述凹槽内的部分；去除所述表面上的所述第一导电层和所述第一介电层不在所述凹槽的局部区域内的部分；以及将第一接触件形成至所述表面上方的所述第一导电层，将第二接触件形成至所述凹槽上方的所述第二导电层，并且将第三接触件形成至所述衬底的掺杂区域内的衬底，其中，所述第一导电层和所述第二导电层用作所述电容器结构的电极板。