[发明专利]用于晶片成像及处理的方法和设备有效
| 申请号： | 201410268610.X | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104022056B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 托尔斯滕·特鲁普克;罗伯特·A·巴尔多什 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;G01N21/64;G01N21/95;G06T7/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于晶片成像及处理的方法和设备。一种对带隙材料进行分析的方法，所述方法包括步骤(a)获取与所述带隙材料中的位错缺陷有关的信息；以及(b)利用所述信息来对所述带隙材料进行分类。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 成像 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种预测由带隙材料制成的器件的一个或多个操作特性的方法，所述方法包括步骤：(a)获取带隙材料的至少一个样品；(b)获取与所述至少一个样品中的位错缺陷有关的信息；(c)利用所述信息来对所述带隙材料进行分类；(d)分析由所述至少一个样品制成的器件的一个或多个操作特性；以及(e)将所述操作特性与所述分类关联起来，其中(i)针对所述带隙材料的其它样品重复步骤(b)和(c)，以获取针对所述其它样品中的每一个的其它分类；以及(ii)利用所述其它分类来预测由所述其它样品制成的器件的操作特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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