[发明专利]脱氯加氢工艺中的四氯化硅还原方法及含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂的制备方法有效
| 申请号： | 201410268738.6 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105435788B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郭增昌;刘兴平;吕学谦;刘乐通 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | B01J23/72 | 分类号： | B01J23/72;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗建民,邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脱氯加氢工艺中的四氯化硅还原方法及含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂的制备方法，包括以下步骤(1)将氯化亚铜和硅粉送入至流化床反应器内；(2)将被加热的非还原性气体通入到流化床反应器内，使硅粉和氯化亚铜混合体呈现流化态，在所述流化床反应器内发生氯化亚铜的还原和相形成反应，在硅粉的颗粒的表面得到四氯化硅还原用含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂。通过本发明使用上述的制备方法得到的催化剂，避免了催化剂的微观粘结作用，可以长期保持催化剂的高活性状态，四氯化硅还原转化率可提高至25～30％mol。 | ||
| 搜索关键词： | 加氢 工艺 中的 氯化 还原 方法 含有 cu si 金属键 合金 催化剂 制备 | ||
【主权项】：
一种脱氯加氢工艺中的四氯化硅还原用含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氯化亚铜和硅粉送入至流化床反应器内；(2)将被加热的非还原性气体通入到流化床反应器内，使所述氯化亚铜和所述硅粉呈现流化态，所述氯化亚铜的粒径为250～350目，所述硅粉的粒径为所述氯化亚铜粒径的30～100倍，在所述流化床反应器内发生氯化亚铜的还原和相形成的流化反应，在硅粉的颗粒的表面得到四氯化硅还原转化为三氯氢硅用含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂。
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