[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法有效
| 申请号： | 201410268834.0 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104851939B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 陈世伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/06;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种太阳能电池器件及其制造方法。通过如下方法制造该太阳能电池在衬底的前侧上形成后接触层，在后接触层上形成吸收层，在衬底的后侧上施加保护层，在吸收层上沉积缓冲层。在衬底后侧上沉积了过量的缓冲材料，以及去除具有过量的缓冲材料的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造太阳能电池的方法，包括：在衬底的前侧上形成后接触层；在所述后接触层上形成吸收层；在所述衬底的后侧上施加保护层；在所述吸收层上沉积缓冲层，其中，在所述沉积期间在所述衬底的后侧上沉积过量的缓冲材料；以及去除在所述衬底的后侧上的所述保护层和所述过量的缓冲材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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