[发明专利]一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法无效
申请号: | 201410270111.4 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104035158A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 杨添舒;刘雯;时彦朋;马静;张端;郑婉华;王晓东;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/13 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法。该光波导芯片包括:衬底;二氧化硅下包层;二氧化硅芯区光波导,其包括输入直波导部分、两个圆弧型弯曲波导部分、阿基米德螺线型弯曲波导部分和输出直波导部分;二氧化硅上包层,其中,输入直波导与阿基米德螺线型弯曲波导的螺线环垂直交叉,以减小X交叉点损耗;两个圆弧型弯曲波导反向相接,平滑地将输入直波导末端与阿基米德螺线型弯曲波导起始端连接起来,并在波导连接处的端面引入最佳的错位偏移量,使得弯曲损耗较小。本发明能够提高陀螺仪的灵敏度,降低陀螺仪的噪声。 | ||
搜索关键词: | 一种 微光 陀螺 sagnac 效应 波导 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片,其特征在于,该光波导芯片包括:衬底;二氧化硅下包层,形成于衬底的上方;二氧化硅芯区光波导,形成于二氧化硅下包层的上方;二氧化硅上包层,形成于所述二氧化硅芯区光波导的上方。
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