[发明专利]横向扩散的金属氧化物半导体（LDMOS）

摘要

横向扩散的金属氧化物半导体（LDMOS）包括半导体衬底，在衬底的顶表面中具有STI结构；在STI结构下方的漂移区域以及在STI结构的相对侧上的源极区域和漏极区域。栅极导体在STI结构与源极区域之间的间隙之上的衬底上并且部分地叠置漂移区域。保形电介质层在顶表面上并且在栅极导体上方形成台面。保形电介质层具有嵌入在其中的保形刻蚀停止层。接触突起延伸通过电介质层和刻蚀停止层，并且连接到源极区域、漏极区域和栅极导体。源极电极连接源极接触突起，栅极电极连接栅极接触突起，漏极电极连接漏极接触突起。漂移电极在漂移区域之上。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有顶表面和特征的配置，所述特征的部分在所述半导体衬底的所述顶表面上方具有高度；第一保形电介质层，在所述半导体衬底的所述顶表面上并且在所述顶表面上方的所述特征的所述部分上；保形刻蚀停止层，在所述第一保形电介质层上；第二电介质层，在所述保形刻蚀停止层上，所述第二电介质层相对于所述顶表面在所述保形刻蚀停止层上方具有平坦化表面；以及电极，在所述第二电介质层中并且在所述保形刻蚀停止层上，所述电极的厚度由所述电极下方的所述特征的所述高度决定；多个保形电介质层；以及多个保形刻蚀停止层，嵌入在所述保形电介质层中的相继的保形电介质层之间。