[发明专利]发光器件以及照明系统有效
| 申请号： | 201410273114.3 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241467B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 崔恩实;金东旭 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一导电型半导体层(112)；在所述第一导电型半导体层(112)上的InxGa1‑xN层(151)(其中，0<x≤1)；在所述InxGa1‑xN层(151)上的GaN层(152)；在所述GaN层(152)上的第一Aly1Ga1‑y1N层(153)(其中，0<y1≤1)；在所述第一Aly1Ga1‑y1N层(153)上的有源层(114)；以及在所述有源层(114)上的第二导电型半导体层(116)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的InxGa1‑xN层，其中，0＜x≤1；在所述InxGa1‑xN层上的GaN层；在所述GaN层上的第一Aly1Ga1‑y1N层，其中，0＜y1≤1；在所述第一Aly1Ga1‑y1N层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层，介于所述第一Aly1Ga1‑y1N层与所述有源层之间的GaN基超晶格层，所述GaN基超晶格层包括设置在所述第一导电型半导体层上的第二组GaN基超晶格层，所述GaN基超晶格层还包括设置在所述第二组GaN基超晶格层上的第三组GaN基超晶格层，其中所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，其中所述第三组势垒的厚度厚于其他组的势垒和阱的厚度，所述第三组势垒掺杂有第一导电元素以改进电子注入效率。
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