[发明专利]8mm基片集成波导环行器失效率检测方法

摘要

8mm基片集成波导环行器失效率检测方法，涉及微波器件技术领域。本发明包括下述步骤：1)确定SIW结构失效率λ_G1：2)确定金属通孔失效率λ_G2：3)确定SIW转微带失效率λ_G3：4)确定铁氧体圆柱失效率λ_G4：5)确定永磁体失效率λ_G5；6)以下式确定环行器整体失效率λ_sp：λ_sp＝λ_G1+λ_G2+λ_G3+λ_G4+λ_G5本发明的有益效果是：检测结果可靠，适用范围广。

主权项

8mm基片集成波导环行器失效率检测方法，其特征在于，包括下述步骤：1)按照下式确定SIW结构失效率λ_G1：λ_G1＝(N*λ_b1+λ_b2)π_Eπ_C其中，N：金属化通孔数量，π_E：环境系数，π_C：复杂度系数；2)按照下式确定金属通孔失效率λ_G2：λ_G2＝(N*λ_b1+λ_b2)π_Eλ_b1：金属孔直径D参数基本失效率，计算公式为：λ_b2：金属孔P参数基本失效率，计算公式为：3)按照下式确定SIW转微带失效率λ_G3：λ_G3＝(λ_w2+λ_w3+λ_l)π_Eλ_w2：SIW转微带连接SIW处金属导带宽度基本失效率，计算公式为：λ_w3：SIW转微带连接50欧姆微带处金属导带宽度基本失效率，计算公式为：λ_l：SIW转微带变换器整体长度l基本失效率，计算公式为：4)按照下式确定铁氧体圆柱失效率λ_G4：λ_G4＝λ_R&Tc，计算公式为：公式中ΔT确定如下：当铁氧体半径R形变量达到设计容差x6所需温度小于居里温度Tc时：$\mathrm{\ΔT}=\frac{x6}{R\·{\∂}_3}$当铁氧体半径R形变量达到设计容差x6所需温度大于居里温度Tc时：ΔT＝Tc；5)按照下式确定永磁体失效率λ_G5λ_G5＝λ_Tc2，计算公式为：6)以下式确定环行器整体失效率λ_sp：λ_sp＝λ_G1+λ_G2+λ_G3+λ_G4+λ_G5λ_Gi可通过MTBF求得：λ_Gi＝1/MTBF_Gi，MTBF为平均无故障时间，即两次故障之间系统能够正常工作的时间的平均值。