[发明专利]双向氮化镓开关及其形成方法

摘要

本申请案涉及一种双向氮化镓开关及其形成方法。一种半导体装置(400)包含形成于非绝缘衬底(402)上的双向GaN FET(406)。所述半导体装置进一步包含连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第一源极/漏极节点(416)之间的第一电箝位部(420)及连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第二源极/漏极节点(418)之间的第二电箝位部(422)。所述第一箝位部及所述第二箝位部经配置以在相关箝位部的偏移电压内将所述衬底偏置于到所述第一源极/漏极节点的所施加偏置及到所述第二源极/漏极节点的所施加偏置中的较低电压电平下。

主权项

一种半导体装置，其包括：双向氮化镓场效应晶体管GaN FET，其形成于衬底上方的III‑N层上，所述衬底为非绝缘的，所述双向GaN FET具有第一源极/漏极节点及第二源极/漏极节点；第一箝位部，其连接于所述第一源极/漏极节点与所述衬底之间；及第二箝位部，其连接于所述第二源极/漏极节点与所述衬底之间。