[发明专利]气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法有效
申请号: | 201410273262.5 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN105441904B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 姜勇;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法,气体喷淋装置包括:喷淋头,喷淋头包括中心区和包围中心区的外围区,喷淋头的中心区和外围区具有平行排列的若干第二喷淋口,第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于外围区的第二子喷淋口,第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,第一子喷淋口用于输出第一气体,第二子喷淋口用于输出第二气体;与第一子喷淋口连接的第一气体通道;与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道。采用气体喷淋装置的化学气相沉积装置的成膜质量改善。 | ||
搜索关键词: | 喷淋口 气体喷淋装置 中心区 化学气相沉积装置 喷淋头 外围区 气体通道 输出 质量改善 成膜 包围 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种气体喷淋装置,其特征在于,包括:喷淋头,所述喷淋头底面喷气区域包括中心区和包围所述中心区的外围区,所述喷淋头的中心区和外围区具有平行排列的若干第二喷淋口,所述第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,所述第一喷淋口和第二喷淋口相互交替分布,所述第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于外围区的第二子喷淋口,所述第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,所述第一子喷淋口用于输出第一气体,所述第二子喷淋口用于输出第二气体,所述第一气体和第二气体之间能够发生成膜反应;与第一子喷淋口连接的第一气体通道,所述第一气体自所述第一气体通道通过,并从第一子喷淋口输出;与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道,所述第二气体通道与第一气体通道相互隔离,所述第二气体自所述第二气体通道通过,并从第二喷淋口和第二子喷淋口输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410273262.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种合金电感器表面处理材料及方法
- 下一篇:精确定位工件台的传动装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的