[发明专利]一种微型氧化还原电位传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410273381.0 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN104049008B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 余丽;王灼琛;程江华;谢宁宁;黄晶晶 申请(专利权)人: 安徽省农业科学院农产品加工研究所
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于电化学传感器技术领域,具体是涉及一种微型氧化还原电位传感器的制备方法。以聚氯乙烯膜为基底材料,分别制备金薄膜微电极和银薄膜微电极,将银薄膜微电极放在氯化钠溶液中电镀,制成氯化银薄膜微电极,以金薄膜微电极作为指示电极,连接离子计的正极,以氯化银薄膜微电极作为参比电极,连接离子计的负极,常温下将两电极插入硫酸亚铁铵‑硫酸高铁铵氧化还原标准溶液中,其电位值以传统的铂电极法测定氧化还原电位的电位值作参比进行检验与校准。制成的氧化还原电位传感器容易实现自动化、便携、现时检测,便于观察密封空间介质及气相介质、半固态和全固态介质体系氧化还原电位的变化。制作材料采用的是聚氯乙烯薄膜,材料价格廉价。
搜索关键词: 一种 微型 氧化 还原 电位 传感器 制备 方法
【主权项】:
一种微型氧化还原电位传感器的制备方法,其特征是步骤如下:①、金薄膜微电极的制备以PVC膜为基底材料,将光胶涂覆于洁净的PVC基片上,然后曝光、显影除去电极底部的光胶,先在基底表面未被光胶掩蔽的部位沉积一层金属铬,接着镀一层金,除去残余光胶,即可制成金薄膜微电极;②、氯化银薄膜微电极的制备以PVC膜为基底材料,将光胶涂覆于洁净的PVC基片上,然后曝光、显影除去电极底部的光胶,先在基底表面未被光胶掩蔽的部位沉积一层金属铜,接着镀一层银,除去残余光胶,即可制成银薄膜微电极;将制备的银薄膜微电极放在0.1mol/L的NaCl溶液中电镀,银薄膜微电极接在正极,铂电极接在负极,电镀电位为0.1V,电镀时间为2h,将电镀好的氯化银薄膜微电极避光保存;③、微型氧化还原电位传感器的制备以金薄膜微电极作为指示电极,连接离子计的正极,以氯化银薄膜微电极作为参比电极,连接离子计的负极,常温下将两电极插入0.1mol/L的硫酸亚铁铵‑硫酸高铁铵氧化还原标准溶液中,其电位值以传统的铂电极法测定氧化还原电位的电位值作参比进行检验与校准。
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