[发明专利]一种从电介质散射背景中识别贵金属纳米粒子的方法无效

专利信息
申请号: 201410273794.9 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104020084A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 洪昕;王景鑫 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01N15/00 分类号: G01N15/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 赵连明;梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种从电介质散射背景中识别贵金属纳米粒子的方法,其特征是先确定单个贵金属粒子及其局域表面等离子体共振波的两个波长,再采用两个波长的激发光源,利用显微成像系统分别对同一个待测样品进行测量成像,获得两幅图像;根据其中一幅图像中的粒子影像尺寸缩小或放大另一幅图像中相应粒子的影像尺寸,以消除由不同激发波长所造成的特征图像尺寸差异,定位重叠调整后的两幅图像;将获得的两幅图像进行相减,去除电介质颗粒的影像,留下贵金属粒子影像,从而识别出贵金属纳米粒子。本发明可应用于在高灵敏度光学显微成像系统(例如暗场显微镜、近场光学显微镜、激光外差干涉偏振显微镜)从电介质散射背景中提取和识别贵金属纳米粒子。
搜索关键词: 一种 电介质 散射 背景 识别 贵金属 纳米 粒子 方法
【主权项】:
一种从电介质散射背景中识别贵金属纳米粒子的方法,利用贵金属纳米粒子的局域表面等离子共振效应,选用双波长成像法来提取贵金属纳米粒子;其特征在于以下步骤:步骤1:确定单个贵金属粒子及其局域表面等离子体共振波长λ1;步骤2:确定测量波长λ2,其选取的原则为:单个贵金属粒子在λ1的消光系数是其在λ2的消光系数的两倍或以上,使得电介质物质在λ1和λ2的消光系数无差异;步骤3:采用波长为λ1和λ2的激发光源,利用显微成像系统分别对同一个待测样品进行测量成像,获得图像1和图像2;步骤4:根据其中一幅图像中的粒子影像尺寸缩小或放大另一幅图像中相应粒子的影像尺寸,以消除由不同激发波长所造成的特征图像尺寸差异,定位重叠调整后的两幅图像;步骤5:将由步骤4获得的两幅图像进行相减,去除电介质颗粒的影像,留下贵金属粒子影像,从而识别出贵金属纳米粒子。
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