[发明专利]一种同时改善STI和FG Poly填充空洞的闪存器件工艺方法在审
| 申请号： | 201410273891.8 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105470201A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 殷冠华;陈广龙;邢芝鸠 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种同时改善STI和FG Poly填充空洞的闪存器件工艺方法，涉及用于半导体工艺领域，包括通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞；通过调整PAD SiN的厚度来调整FG Poly填充空洞；通过隔离浅槽的开口形貌与STI填充空洞的关系以及PAD SiN的厚度和FG Poly填充空洞的关系，选择隔离浅槽的开口形貌与PAD SiN的厚度的组合。本发明的技术方案通过组合调整AA的形貌和PAD SiN的厚度这一工艺流程和方法来同时有效得改善STI和FG Poly填充空洞问题，整体提升了闪存产品良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 改善 sti fg poly 填充 空洞 闪存 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种同时改善STI和FG Poly填充空洞的闪存器件工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，设计闪存器件；步骤2，通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞，并建立隔离浅槽的开口形貌与STI填充空洞的关系；步骤3，通过调整PAD SiN的厚度来调整FG Poly填充空洞，并建立PAD SiN的厚度和FG Poly填充空洞的关系；步骤4，通过隔离浅槽的开口形貌与STI填充空洞的关系以及PADSiN的厚度和FG Poly填充空洞的关系，选择隔离浅槽的开口形貌与PAD SiN的厚度的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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