[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括外延片、透明导电层、P型电极、N型电极，外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、有源层、P型层，透明导电层层叠在P型层上，N型电极设置在N型层上，P型电极设置在透明导电层上，芯片还包括由至少两种折射率不同的非Ag材料层组成的布拉格反射层、以及P型焊点、N型焊点，布拉格反射层层叠在外延片、透明导电层、N型电极、以及P型电极的与衬底相反的表面上，布拉格反射层中设置有至少两个沿芯片的生长方向的通孔，P型焊点通过至少一个通孔与P型电极连接，N型焊点通过至少一个通孔与N型电极连接。本发明避免了芯片亮度和良率降低的情况。

主权项

一种倒装发光二极管芯片，所述芯片包括外延片、透明导电层、P型电极、N型电极，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层，所述透明导电层层叠在所述P型层上，所述N型电极设置在所述N型层上，所述P型电极设置在所述透明导电层上，其特征在于，所述芯片还包括由至少两种折射率不同的非Ag材料层组成的布拉格反射层、以及P型焊点、N型焊点，所述布拉格反射层层叠在所述外延片、所述透明导电层、所述N型电极、以及所述P型电极的与所述衬底相反的表面上，所述布拉格反射层中设置有至少两个沿所述芯片的生长方向的通孔，所述P型焊点通过至少一个所述通孔与所述P型电极连接，所述N型焊点通过至少一个所述通孔与所述N型电极连接；所述P型焊点和所述N型焊点均包括非Ag的第一金属层、以及依次层叠在所述第一金属层上的第二金属层、焊料层，所述第一金属层和所述布拉格反射层构成全方位反射膜，所述P型焊点和所述N型焊点对称分布在所述布拉格反射层上；所述N型电极和所述P型电极均包括依次层叠的Cr层、Ti层、Al层，所述布拉格反射层由交替的SiO₂层和Ti₂O₃层组成，所述第一金属层为Al层，所述第二金属层为Ni层，所述焊料层为AuSn层。