[发明专利]图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件有效
| 申请号： | 201410274924.0 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105197875B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;魏浩明;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 纳米 阵列 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。
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