[发明专利]一种高背景应用的BDI型像素单元电路无效

专利信息
申请号: 201410275471.3 申请日: 2014-06-19
公开(公告)号: CN104034431A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 夏晓娟;苏军;吉新村;沈玲羽;刘琦;陈德媛;成建兵;郭宇锋 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 奚幼坚
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种高背景应用的BDI型像素单元电路,在现有包括依次连接的输入放大器、注入管、积分/复位控制电路、采样开关电路和输出控制电路的基础上,去除用于控制积分时间的采样开关电路,在注入管与积分/复位控制电路之间增设注入开关管,通过注入开关管来控制积分时间,注入开关管的栅极连接数字信号Vint,漏极连接前级注入管的输出,源极连接后级积分/复位控制电路的输入。
搜索关键词: 一种 背景 应用 bdi 像素 单元 电路
【主权项】:
一种高背景应用的BDI型像素单元电路,其特征在于,在现有包括依次连接的输入放大器、注入管、积分/复位控制电路、采样开关电路和输出控制电路的基础上,去除用于控制积分时间的采样开关电路,在注入管与积分/复位控制电路之间增设注入开关管,通过注入开关管来控制积分时间;其中:输入放大器包括一个运算放大器,其正向输入端连接控制信号Vcom,负向输入端连接红外探测器的输出端;注入管包括NMOS管M1,其栅极连接输入放大器中运算放大器的输出端,漏极连接输入放大器中运算放大器的正向输入端;注入开关管包括NMOS管M2,其栅极连接数字信号Vint,漏极连接注入管M1的源极;积分/复位控制电路包括NMOS管M3和积分电容C,NMOS管M3的栅极连接数字信号Vrst,NMOS管M3的漏极连接注入开关管M2的源极和积分电容C的一端,NMOS管M3的源极连接积分电容C的另一端并接地;输出控制电路包括NMOS管M4,其漏极连接积分/复位控制电路中NMOS管M3的漏极,NMOS管M4的栅极连接数字信号Vrse,NMOS管M4的源极为像素单元电路的输出端。
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