[发明专利]固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置无效
| 申请号： | 201410275543.4 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241306A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 荻野昌也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置。固态成像装置包括像素阵列，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素各自包括：包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件、以及设置在部件上的微透镜，以及成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 制造 方法 照相机 器件 | ||
【主权项】：
一种包括像素阵列的固态成像装置，在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素，其中，成像像素和焦点检测像素各自包括：包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件，以及设置在部件上的微透镜，以及成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件，所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
