[发明专利]一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410275726.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104022149A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;杨骋;肖琨;孙瑞泽;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远离栅极(11)的一侧；N型衬底(6)下层设置有N型阳极区(8)，N型阳极区(8)与P型阳极区(7)连接并与P型源区(1)位于同一侧；其中，P型源区(1)与N型阳极区(8)及其之间的P型基区(5)和N型衬底(6)构成反向PIN管。本发明的有益效果为，提供了具有更大反向电流能力的MCT器件，解决了常规MCT在脉冲放电过程中会遇到大的反向过冲电压问题。本发明尤其适用于MOS场控晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 反向 pin mos 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管，包括N型衬底(6)、设置在N型衬底(6)上层的P型基区(5)和N型衬底(6)下层的P型阳极区(7)；所述P型基区(5)上层设置有N型基区(4)；所述N型基区(4)上层设置有相互独立的P型阴极区(3)和N型源区(2)，其中P型阴极区(3)位于靠近器件栅极一侧；在N型衬底(6)的上表面、N型衬底(6)与N型基区(4)之间的P型基区(5)上表面、P型基区(5)与P型阴极区(3)之间的N型基区(4)上表面设置有栅氧化层(10)；栅氧化层(10)的上表面设置有栅极(11)；其特征在于，P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远离栅极(11)的一侧；N型衬底(6)下层设置有N型阳极区(8)，N型阳极区(8)与P型阳极区(7)连接并与P型源区(1)位于同一侧；其中，P型源区(1)与N型阳极区(8)及其之间的P型基区(5)和N型衬底(6)构成反向PIN管；N型阳极区(8)与P型阳极区(7)下表面设置有阳极金属(12)；P型源区(1)和N型源区(2)上表面设置有阴极金属(9)。
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