[发明专利]电场间隙器件与制造方法有效
| 申请号： | 201410276234.9 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104253021B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特;克劳斯·莱曼;奥拉夫·温尼克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成电场间隙器件的方法，例如横向场致发射ESD保护结构，其中在介电层之间形成有阴极层。形成有阳极沟道，并衬有牺牲介电层。在阳极沟道内形成有导电的阳极柱，随后阳极柱附近的牺牲介电层被蚀刻掉。刻蚀留下了阴极层的悬空部分，其定义了至相邻的阳极柱之间的横向间隙。这一部分具有由阴极层的角部定义的尖的端部表面，由于横向间隙与牺牲介电层的厚度相应，因而可以被精准地定义。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 间隙 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电场间隙结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底(10)上形成第一介电层(12)；在第一介电层(12)上形成阴极层(20)；在阴极层(20)上形成第二介电层(22)；穿过第二介电层(22)和阴极层(20)蚀刻阳极沟道，至第一介电层(12)；以第三介电层(24)布衬所得的表面；形成导电的阳极柱(27)以填充所述阳极沟道，以使得所述导电的阳极柱(27)的横向突出的边缘区域在以第三介电层(24)布衬的第二介电层(22)上横向延伸；刻蚀掉阳极柱(27)附近的第三介电层(24)和第二介电层(22)，并至少部分地刻蚀掉阳极柱(27)附近的第一介电层(12)，以保留阴极层(20)的悬置部分(34)，以形成与相邻的阳极柱(27)之间的横向间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
