[发明专利]基于金属硬掩膜的超低K互连的制造方法及制造的产品有效
| 申请号： | 201410276464.5 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105336666B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江;黄瑞轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属硬掩膜的超低K互连的制造方法及制造的产品。该方法对超低K电介质的损坏很小且对后续清洗工艺更坚固，从而使得从干法蚀刻至湿法清洗之间的等待时间能够延长。该方法包括：在衬底上依次形成超低K电介质层和金属硬掩膜层；图案化金属硬掩膜层，以在金属硬掩膜层中形成开口；以及蚀刻开口位置的超低K电介质层，其中所述蚀刻工艺的蚀刻气体包括溴化物。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 硬掩膜 互连 制造 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种基于金属硬掩膜的超低K互连的制造方法，包括：a)在衬底上依次形成超低K电介质层和金属硬掩膜层；b)图案化金属硬掩膜层，以在金属硬掩膜层中形成第一开口和第二开口；c)以光刻胶层作为掩膜，蚀刻所述第一开口位置的所述超低K电介质层的一部分；以及d)以金属硬掩膜作为掩膜，蚀刻所述第一开口位置和所述第二开口位置的超低K电介质层，其中步骤d)的蚀刻工艺的蚀刻气体包括溴化物，并且所述步骤d)的蚀刻工艺在所述超低K电介质层中形成倒梯形的第一开口和第二开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
