[发明专利]一种用于制备多晶硅锭的坩埚及多晶硅锭的生长方法有效
| 申请号： | 201410276658.5 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104018222A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;陈达 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/10;C30B15/10 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备多晶硅锭的坩埚及多晶硅锭的生长方法，所述坩埚为中空的矩形结构，底面为正方形；所述正方形的底面上设有若干个直角的“V”型长槽。所述生长方法包括以下步骤：1）控制温度使“V”型长槽内的熔融硅率先降温到1410℃；2）提升保温桶使熔融硅从“V”型长槽内的底部开始形核生长；3）控制保温桶的提拉速度，使生长速度快的晶体首先达到“V”型长槽的上顶面，“V”型长槽内晶体的结晶速度2mm/h；4）加快保温桶的提拉，以10mm/h的速度完成接下去的晶体生长，获得柱状晶。本发明通过坩埚底部“V”型长槽的引晶作用，减少了杂质在晶体缺陷处的聚集，提高了硅锭的电学性能，提高了对多晶硅锭底部的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 多晶 坩埚 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备多晶硅锭的坩埚，其特征在于：所述坩埚为中空的矩形结构，底面为正方形；所述正方形的底面上设有若干个的“V”型长槽，所述“V”型长槽均平行于正方形底面的其中一边；所述“V”型长槽两边的夹角为直角。
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