[发明专利]半金属态导电亚氧化钛纳米管阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201410277287.2 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104032355A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 桑商斌;刘颖颖;伍秋美;钟文洁;刘文明 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半金属态导电亚氧化钛纳米管阵列的制备方法，该制备方法是通过电化学方法以钛片为原料通过氧化先制备二氧化钛纳米管阵列，再进一步通过原位还原和掺杂制得半金属态导电氧化钛纳米管阵列；该制备方法反应条件温和，工艺简单，制得的半金属态导电氧化钛纳米管阵列有序结构完整、电化学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 导电 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
半金属态导电亚氧化钛纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、以钛片为阳极，铂电极为阴极，含氟化铵的水/乙二醇体系为电解液，在20～80V的电压下进行阳极氧化处理，氧化完成后，从阳极超声剥离出氧化所得的纳米二氧化钛膜； 步骤二、重复步骤一的操作对所得纳米二氧化钛膜进一步进行阳极氧化，得到二氧化钛纳米管阵列； 步骤三、将步骤二所得二氧化钛纳米管阵列在300～500℃的高温下进行热处理后，以热处理后的二氧化钛纳米管阵列为工作电极，Pt电极为对电极，浓度在0.25～1.00mol/L之间的AlCl3的水溶液为电解液，在电流密度为0.1～1mA/cm2的条件下，进行电化学阴极极化处理，即得半金属态导电氧化钛纳米管阵列。
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