[发明专利]太阳能电池局域掺杂方法有效
申请号: | 201410277487.8 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104022188A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 盛赟 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/228 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池局域掺杂方法,该方法的步骤如下:a)根据太阳能电池结构,在太阳能电池的衬底表面修饰相应图形的分子膜;其中,分子膜中具有亲水基团和疏水基团;b)在经过步骤a)处理后的衬底上设置含掺杂源的溶液,并且溶液中具有极性溶剂,使掺杂源分布在相应图形上;c)挥发溶液,在衬底上留下局域分布的掺杂源;d)再经过热扩散掺杂,使得留下的掺杂源扩散至衬底上,从而形成局域掺杂。本发明方法能够实现不同图形和尺寸的局域掺杂结构,特别适用于构造太阳能电池的局域发射结和高低表面场。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 局域 掺杂 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池局域掺杂方法,其特征在于该方法的步骤如下:a)根据太阳能电池结构,在太阳能电池的衬底表面修饰相应图形的分子膜;其中,分子膜中具有亲水基团和疏水基团;b)在经过步骤a)处理后的衬底上设置含掺杂源的溶液,并且溶液中具有极性溶剂,使掺杂源分布在相应图形上;c)挥发溶液,在衬底上留下局域分布的掺杂源;d)再经过热扩散掺杂,使得留下的掺杂源扩散至衬底上,从而形成局域掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410277487.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的