[发明专利]一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。

主权项

一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，所述p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，其中所述p型发射极细栅电极位于所述p型发射极上，所述n型背面场细栅电极位于所述n型背面场上，所述p型发射极细栅电极与所述p型发射极主栅电极相连接，所述n型背面场细栅电极与所述n型背面场主栅电极相连接，其特征是：每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，所述多条平行均匀分布的细栅的远离p型发射极主栅电极的末端通过一细栅相连。